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        透明導電薄膜

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        【摘要】:
        最近幾年來國內外的研究者分別在低溫制備的設備、工藝、薄膜的表面改性、多層膜系的設計和制備工藝方面進行了深入的研究。例如,WuWen-Fa等利用R.F磁控濺射工藝在不加熱的聚碳酸酯(PC)襯底上制備了厚度為250mm,電阻率為6×~2(Ω·cm),透過率為74%~90%;ParkSungKyu等利用R.F磁控濺射工藝在低溫聚合物PES上制備了110nmITO,方塊電阻是20O/□,透過率80%,但是

          最近幾年來國內外的研究者分別在低溫制備的設備、工藝、薄膜的表面改性、多層膜系的設計和制備工藝方面進行了深入的研究。例如,Wu Wen-Fa等利用R.F磁控濺射工藝在不加熱的聚碳酸酯(PC)襯底上制備了厚度為250mm,電阻率為6× ~2(Ω·cm),透過率為74%~90%;Park Sung Kyu等利用R.F磁控濺射工藝在低溫聚合物PES上制備了110nmITO,方塊電阻是20O/□,透過率80%,但是表面的粗糙度較大;法國的David等,利用In-Sn合金靶在100℃下沉積在聚合物上的ITO薄膜透過率為85%,電阻率為~0.003Ω·cm,表面粗糙度為15-50,美國的Daeil.KIM用直接金屬離子束沉積(DMIBD)方法在70℃的條件下制備的ITO薄膜最高透過率為85%,最低電阻率為4×Ω·cm,表面質量比較高;此外還有一些研究人員利用脈沖激光沉積(PLD),電子束熱蒸發和金屬離子輔助濺射等方法在低溫甚至在室溫的條件下進行高質量塑基的薄膜制備。國內的賈永新在150℃基板條件下制備出了透過率為80%左右ITO薄膜,但沒有見電阻和表面特性的報道;近年來李育峰等利用微波等離子體輔助方法在120℃的基片上沉積的薄膜透過率大于85%,但方塊電阻大于100O/□,表面特性沒有報道;馬瑾等在塑料襯底上在80℃-100℃的條件下制備出了透過率大于84%,電阻率~0.001量級的薄膜。綜上所述,國內在低溫尤其常溫下制備ITO薄膜方面研究還不夠充分、不夠全面;并且研究制備方法也比較單一,與國外有比較大的差距。近年來國外尤其日本和韓國分別在低溫沉積技術、薄膜生長機理和薄膜表面改性方面進行了深入的研究,在保證不對薄膜襯底產生破壞的情況下,在低溫甚至室溫的條件下制備出了薄膜電阻率低于5×Ω·cm,透過率大于85%,表面的粗糙度小于2nm的ITO薄膜。

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